인터내셔널 렉티파이어(IR)는 IRAUDAMP3 클래스 D 오디오 레퍼런스 설계를 발표했다. 이번에 발표한 소형 레퍼런스 설계는 히트싱크가 없는 6채널 120W 하프-브리지 클래스 D 전력 증폭기를 완성시킬 수 있는 고전압 아날로그 IC인 IRS20124S 와 IRF6645 DirectFET파워 MOSFET의 특징을 갖추고 있다.

레퍼런스 설계에 통합된 IRS20124S 고전압 IC는 내부에 선택형 데드-타임 (dead-time) 생성 회로의 특성을 갖추고 있으며 잡음과 전원 전압 변동에 영향을 받지 않아 60W에서 0.01% THD (total harmonic distortion), 120W에서 94% 효율과, 4Ω 단일 채널을 구현한다. 더욱이, IC는 단락 회로형 스피커 와이어처럼 과전류 조건이 발생할 경우, 출력 MOSFET의 보호를 위하여 양방향 전류 센싱 및 셧다운 기능이 내장되어 있다.

IRAUDAMP3은 각각의 2개 채널에 대해 4.5 스퀘어 인치의 풋프린트와 스위치 기능을 갖추고 있으며 IRF6645 DirectFET 파워 MOSFET을 이용하고 있다. DirectFET 패키징 기술은 스위칭 성능을 향상시키고 EMI 잡음을 줄이기 위하여 리드 인덕턴스를 감소시킴으로써 클래스 D 오디오 증폭기 회로에서의 성능을 향상시킨다. 더 높은 온도의 효율성은  부하 임피던스 40에서 120W급 회로 동작을 가능하게 해, 히트싱크의 필요성을 없애주어 회로의 크기를 줄이고, 혁신적인 레이아웃의 유연성을 확보하며 전반적인 증폭기 시스템 비용을 저감시켜 준다.